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LM3S1R21-IBZ80-C3

LM3S1R21-IBZ80-C3

僅供參考

型號 LM3S1R21-IBZ80-C3
PNEDA編號 LM3S1R21-IBZ80-C3
描述 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S1R21-IBZ80-C3資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S1R21-IBZ80-C3
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S1R21-IBZ80-C3規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度80MHz
連接性EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT
I / O數量67
程序存儲器大小256KB (256K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小48K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.08V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 8x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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連接性

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外圍設備

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I / O數量

34

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

8K x 8

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.62V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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程序存儲器大小

2KB (2K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

128 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.6V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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連接性

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外圍設備

POR, PWM, WDT

I / O數量

48

程序存儲器大小

16KB (16K x 8 + 256B)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

A/D 8x12b

振蕩器類型

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核心處理器

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核心大小

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速度

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連接性

-

外圍設備

Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

3

程序存儲器大小

896B (512 x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

64 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.6V

數據轉換器

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振蕩器類型

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安裝類型

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25

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

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