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LP1030DK1-G

LP1030DK1-G

僅供參考

型號 LP1030DK1-G
PNEDA編號 LP1030DK1-G
描述 MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LP1030DK1-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LP1030DK1-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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LP1030DK1-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs180Ohm @ 20mA, 7V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10.8pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-25°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SOT-23-5

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5.5A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2120pF @ 20V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

功率-最大

1.25W

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

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