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LS4150GS08

LS4150GS08

僅供參考

型號 LS4150GS08
PNEDA編號 LS4150GS08
描述 DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 501,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LS4150GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LS4150GS08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LS4150GS08, LS4150GS08數據表 (總頁數: 4, 大小: 99.64 KB)
PDFLS4150GS18數據表 封面
LS4150GS18數據表 頁面 2 LS4150GS18數據表 頁面 3 LS4150GS18數據表 頁面 4

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LS4150GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)600mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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9000V

電流-平均整流(Io)

1790A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5.5V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 9000V

電容@ Vr,F

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

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