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M100G-E3/54

M100G-E3/54

僅供參考

型號 M100G-E3/54
PNEDA編號 M100G-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M100G-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M100G-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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M100G-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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