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VS-30EPF02-M3

VS-30EPF02-M3

僅供參考

型號 VS-30EPF02-M3
PNEDA編號 VS-30EPF02-M3
描述 DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-30EPF02-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-30EPF02-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-30EPF02-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.41V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AC Modified
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

900pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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400V

電流-平均整流(Io)

1.7A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

72pF @ 4V, 1MHz

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速度

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反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

120pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-220-2

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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