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M29W160ET70N6F TR

M29W160ET70N6F TR

僅供參考

型號 M29W160ET70N6F TR
PNEDA編號 M29W160ET70N6F-TR
描述 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W160ET70N6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W160ET70N6F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M29W160ET70N6F TR, M29W160ET70N6F TR數據表 (總頁數: 47, 大小: 640.56 KB)
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M29W160ET70N6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

AT28C256-25LM/883-815

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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