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M58BW16FB5T3T TR

M58BW16FB5T3T TR

僅供參考

型號 M58BW16FB5T3T TR
PNEDA編號 M58BW16FB5T3T-TR
描述 IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58BW16FB5T3T TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58BW16FB5T3T TR
類別半導體內存IC內存

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M58BW16FB5T3T TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (512K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.3V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱80-BQFP
供應商設備包裝80-PQFP (19.9x13.9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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