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M58LR128KB85ZB6F TR

M58LR128KB85ZB6F TR

僅供參考

型號 M58LR128KB85ZB6F TR
PNEDA編號 M58LR128KB85ZB6F-TR
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58LR128KB85ZB6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58LR128KB85ZB6F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M58LR128KB85ZB6F TR, M58LR128KB85ZB6F TR數據表 (總頁數: 121, 大小: 2,394.17 KB)
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M58LR128KB85ZB6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率66MHz
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-VFBGA
供應商設備包裝56-VFBGA (7.7x9)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

IDT71V35761SA183BQ8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

7130LA35TF8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (10x10)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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