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M58LT256JST8ZA6F TR

M58LT256JST8ZA6F TR

僅供參考

型號 M58LT256JST8ZA6F TR
PNEDA編號 M58LT256JST8ZA6F-TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M58LT256JST8ZA6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M58LT256JST8ZA6F TR
類別半導體內存IC內存

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M58LT256JST8ZA6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱80-LBGA
供應商設備包裝80-LBGA (10x12)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

CYDM256B16-55BVXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, MoBL

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

STMicroelectronics

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-MLP (2x3)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

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Surface Mount

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