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MB3035S-E3/8W

MB3035S-E3/8W

僅供參考

型號 MB3035S-E3/8W
PNEDA編號 MB3035S-E3-8W
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB3035S-E3/8W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB3035S-E3/8W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MB3035S-E3/8W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 35V
電容@ Vr,F980pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

280µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

11.5V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.68V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

220ns

當前-反向泄漏@ Vr

145µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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