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MBR20035CTR

MBR20035CTR

僅供參考

型號 MBR20035CTR
PNEDA編號 MBR20035CTR
描述 DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20035CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20035CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR20035CTR, MBR20035CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 536.75 KB)
PDFMBR20040CTR數據表 封面
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MBR20035CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

115A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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二極管配置

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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