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MBRB10H100HE3/45

MBRB10H100HE3/45

僅供參考

型號 MBRB10H100HE3/45
PNEDA編號 MBRB10H100HE3-45
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB10H100HE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB10H100HE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRB10H100HE3/45, MBRB10H100HE3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 145.09 KB)
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MBRB10H100HE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4.5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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