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MBRB10H60HE3/81

MBRB10H60HE3/81

僅供參考

型號 MBRB10H60HE3/81
PNEDA編號 MBRB10H60HE3-81
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB10H60HE3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB10H60HE3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MBRB10H60HE3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果710mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.08V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-247AD

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

制造商

IXYS

系列

-

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2200V

電流-平均整流(Io)

1950A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3400A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 2200V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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