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MBRB3030CTT4G

MBRB3030CTT4G

僅供參考

型號 MBRB3030CTT4G
PNEDA編號 MBRB3030CTT4G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRB3030CTT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRB3030CTT4G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBRB3030CTT4G, MBRB3030CTT4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 55.96 KB)
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MBRB3030CTT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果540mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr600µA @ 30V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK-3

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

125ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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