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MBT3946DW1T1G

MBT3946DW1T1G

僅供參考

型號 MBT3946DW1T1G
PNEDA編號 MBT3946DW1T1G
描述 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBT3946DW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBT3946DW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MBT3946DW1T1G, MBT3946DW1T1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 169.32 KB)
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MBT3946DW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大150mW
頻率-過渡300MHz, 250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

215MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

380mW

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 50mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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