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MCH3375-TL-H

MCH3375-TL-H

僅供參考

型號 MCH3375-TL-H
PNEDA編號 MCH3375-TL-H
描述 MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH3375-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH3375-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MCH3375-TL-H, MCH3375-TL-H數據表 (總頁數: 5, 大小: 443.77 KB)
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MCH3375-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds82pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70FL/MCPH3
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.83A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6.2V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 10A, 6.2V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1785pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.6W (Ta), 27.7W (Tc)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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