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MCH3914-7-TL-H

MCH3914-7-TL-H

僅供參考

型號 MCH3914-7-TL-H
PNEDA編號 MCH3914-7-TL-H
描述 JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH3914-7-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH3914-7-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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MCH3914-7-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)15V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)16mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 10µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4.9pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝SC-70FL/MCPH3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V (VGS)

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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工作溫度

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

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