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MCH6122-TL-E

MCH6122-TL-E

僅供參考

型號 MCH6122-TL-E
PNEDA編號 MCH6122-TL-E
描述 TRANS PNP 30V 3A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6122-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6122-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MCH6122-TL-E, MCH6122-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 513.83 KB)
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MCH6122-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic180mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 5V

功率-最大

10W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126N

TIP111TU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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制造商

Comchip Technology

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 10mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 10A, 4V

功率-最大

160W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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