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MCH6534-TL-E

MCH6534-TL-E

僅供參考

型號 MCH6534-TL-E
PNEDA編號 MCH6534-TL-E
描述 TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6534-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6534-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
MCH6534-TL-E, MCH6534-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 518.57 KB)
PDFMCH6534-TL-E數據表 封面
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MCH6534-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大550mW
頻率-過渡330MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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2 NPN (Dual)

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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