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MD2009DFX

MD2009DFX

僅供參考

型號 MD2009DFX
PNEDA編號 MD2009DFX
描述 TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 7 - 二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MD2009DFX資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MD2009DFX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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MD2009DFX規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.8V @ 1.4A, 5.5A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 5.5A, 5V
功率-最大58W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOWATT218FX
供應商設備包裝ISOWATT-218FX

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

115W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2A, 1V

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