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VS-CPV363M4UPBF

VS-CPV363M4UPBF

僅供參考

型號 VS-CPV363M4UPBF
PNEDA編號 VS-CPV363M4UPBF
描述 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-CPV363M4UPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-CPV363M4UPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-CPV363M4UPBF, VS-CPV363M4UPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 248.55 KB)
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VS-CPV363M4UPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)13A
功率-最大36W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 6.8A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.1nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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當前-集電極(Ic)(最大值)

52A

功率-最大

225W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E2

供應商設備包裝

E2

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

650µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

6.8nF @ 25V

輸入

Standard

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Yes

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80A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

3.7mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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