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MJD31CT4-A

MJD31CT4-A

僅供參考

型號 MJD31CT4-A
PNEDA編號 MJD31CT4-A
描述 TRANS NPN 100V 3A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 19,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD31CT4-A資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD31CT4-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD31CT4-A, MJD31CT4-A數據表 (總頁數: 13, 大小: 401.43 KB)
PDFMJD31CT4-A數據表 封面
MJD31CT4-A數據表 頁面 2 MJD31CT4-A數據表 頁面 3 MJD31CT4-A數據表 頁面 4 MJD31CT4-A數據表 頁面 5 MJD31CT4-A數據表 頁面 6 MJD31CT4-A數據表 頁面 7 MJD31CT4-A數據表 頁面 8 MJD31CT4-A數據表 頁面 9 MJD31CT4-A數據表 頁面 10 MJD31CT4-A數據表 頁面 11

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MJD31CT4-A規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 20mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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