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MJD47G

MJD47G

僅供參考

型號 MJD47G
PNEDA編號 MJD47G
描述 TRANS NPN 250V 1A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD47G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD47G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD47G, MJD47G數據表 (總頁數: 6, 大小: 75.58 KB)
PDFMJD50數據表 封面
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MJD47G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 300mA, 10V
功率-最大1.56W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

440mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

740mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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