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MJE4353

MJE4353

僅供參考

型號 MJE4353
PNEDA編號 MJE4353
描述 TRANS PNP 160V 16A TO218
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJE4353資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJE4353
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJE4353, MJE4353數據表 (總頁數: 8, 大小: 132.68 KB)
PDFMJE4353G數據表 封面
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MJE4353規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)750µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 8A, 2V
功率-最大125W
頻率-過渡1MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

11V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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