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MMBD6050-E3-18

MMBD6050-E3-18

僅供參考

型號 MMBD6050-E3-18
PNEDA編號 MMBD6050-E3-18
描述 DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBD6050-E3-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBD6050-E3-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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MMBD6050-E3-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)70V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

電容@ Vr,F

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