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MMBF4391LT1

MMBF4391LT1

僅供參考

型號 MMBF4391LT1
PNEDA編號 MMBF4391LT1
描述 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.4626
500 ---------- $0.4409
1,000 ---------- $0.4192
2,500 ---------- $0.3975
5,000 ---------- $0.3795
10,000 ---------- $0.3614
庫存 866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBF4391LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBF4391LT1
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBF4391LT1, MMBF4391LT1數據表 (總頁數: 7, 大小: 234.33 KB)
PDFSMMBF4391LT1G數據表 封面
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MMBF4391LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 15V
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.2V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

300µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 0V

電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7.3mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

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