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MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

僅供參考

型號 MMBF4391LT1G
PNEDA編號 MMBF4391LT1G
描述 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.4489
500 ---------- $0.4279
1,000 ---------- $0.4068
2,500 ---------- $0.3858
5,000 ---------- $0.3682
10,000 ---------- $0.3507
庫存 90,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBF4391LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBF4391LT1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBF4391LT1G, MMBF4391LT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 234.33 KB)
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MMBF4391LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 15V
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

100pA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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