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MMBFJ175LT3G

MMBFJ175LT3G

僅供參考

型號 MMBFJ175LT3G
PNEDA編號 MMBFJ175LT3G
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ175LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ175LT3G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ175LT3G, MMBFJ175LT3G數據表 (總頁數: 3, 大小: 169.49 KB)
PDFMMBFJ175LT1數據表 封面
MMBFJ175LT1數據表 頁面 2 MMBFJ175LT1數據表 頁面 3

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MMBFJ175LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)125 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

360mW

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

8 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.9pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

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