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MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

僅供參考

型號 MMBFJ177LT1G
PNEDA編號 MMBFJ177LT1G
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.5384
500 ---------- $0.5131
1,000 ---------- $0.4879
2,500 ---------- $0.4627
5,000 ---------- $0.4416
10,000 ---------- $0.4206
庫存 45,073
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ177LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ177LT1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ177LT1G, MMBFJ177LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 132.09 KB)
PDFMMBFJ177LT1數據表 封面
MMBFJ177LT1數據表 頁面 2 MMBFJ177LT1數據表 頁面 3 MMBFJ177LT1數據表 頁面 4

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MMBFJ177LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)300 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

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FET類型

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30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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