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MMBT5550-TP

MMBT5550-TP

僅供參考

型號 MMBT5550-TP
PNEDA編號 MMBT5550-TP
描述 NPNPLATICENCAPSULATETRANSISTORSO
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT5550-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT5550-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT5550-TP, MMBT5550-TP數據表 (總頁數: 2, 大小: 226.67 KB)
PDFMMBT5550-TP數據表 封面
MMBT5550-TP數據表 頁面 2

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MMBT5550-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)140V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
功率-最大225mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

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