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MMBTA14

MMBTA14

僅供參考

型號 MMBTA14
PNEDA編號 MMBTA14
描述 TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA14資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA14
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA14, MMBTA14數據表 (總頁數: 8, 大小: 109.55 KB)
PDFMMBTA14數據表 封面
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MMBTA14規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20000 @ 100mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

功率-最大

450mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 5A, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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