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MMBTH10-7

MMBTH10-7

僅供參考

型號 MMBTH10-7
PNEDA編號 MMBTH10-7
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH10-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH10-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH10-7, MMBTH10-7數據表 (總頁數: 3, 大小: 551.32 KB)
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MMBTH10-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大300mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.3dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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