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MMBTH81

MMBTH81

僅供參考

型號 MMBTH81
PNEDA編號 MMBTH81
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 263,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH81資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH81
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH81, MMBTH81數據表 (總頁數: 11, 大小: 721.38 KB)
PDFMPSH81_D75Z數據表 封面
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MMBTH81規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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增益

10dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

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安裝類型

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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