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MMBTH81_D87Z

MMBTH81_D87Z

僅供參考

型號 MMBTH81_D87Z
PNEDA編號 MMBTH81_D87Z
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH81_D87Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH81_D87Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH81_D87Z, MMBTH81_D87Z數據表 (總頁數: 11, 大小: 721.38 KB)
PDFMPSH81_D75Z數據表 封面
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MMBTH81_D87Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

MSC2295-BT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

150MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SC-59

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Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

9dB ~ 18dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-86

供應商設備包裝

86 Plastic

制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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