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MMDF2P02ER2G

MMDF2P02ER2G

僅供參考

型號 MMDF2P02ER2G
PNEDA編號 MMDF2P02ER2G
描述 MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF2P02ER2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF2P02ER2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF2P02ER2G, MMDF2P02ER2G數據表 (總頁數: 7, 大小: 129.41 KB)
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MMDF2P02ER2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds475pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 15V

功率-最大

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30V

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4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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