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MMDF2P02HDR2

MMDF2P02HDR2

僅供參考

型號 MMDF2P02HDR2
PNEDA編號 MMDF2P02HDR2
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF2P02HDR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF2P02HDR2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF2P02HDR2, MMDF2P02HDR2數據表 (總頁數: 8, 大小: 130.28 KB)
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MMDF2P02HDR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds588pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 5V

功率-最大

150mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 15V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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