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MMDT2227Q-7-F

MMDT2227Q-7-F

僅供參考

型號 MMDT2227Q-7-F
PNEDA編號 MMDT2227Q-7-F
描述 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDT2227Q-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDT2227Q-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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MMDT2227Q-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN, PNP Complementary
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V, 60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA, 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA, 50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大200mW
頻率-過渡300MHz, 200MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10µA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

220MHz, 185MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

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