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MMRF1012NR1

MMRF1012NR1

僅供參考

型號 MMRF1012NR1
PNEDA編號 MMRF1012NR1
描述 FET RF 120V 220MHZ
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMRF1012NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMRF1012NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MMRF1012NR1, MMRF1012NR1數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,474.19 KB)
PDFMMRF1012NR1數據表 封面
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MMRF1012NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率220MHz
增益23.9dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試30mA
功率-輸出10W
電壓-額定120V
包裝/箱TO-270-2
供應商設備包裝TO-270-2

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12dB

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10V

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60mA

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

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Infineon Technologies

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.61GHz

增益

13.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

230mA

功率-輸出

28W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H-37248-4

供應商設備包裝

H-37248-4

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.2GHz ~ 1.4GHz

增益

17dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

18A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

130W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cree/Wolfspeed

制造商

Cree/Wolfspeed

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

960MHz

增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

55W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

H-37265-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

27W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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