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MPSH81

MPSH81

僅供參考

型號 MPSH81
PNEDA編號 MPSH81_105
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSH81資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSH81
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MPSH81, MPSH81數據表 (總頁數: 4, 大小: 256.03 KB)
PDFMPSH81數據表 封面
MPSH81數據表 頁面 2 MPSH81數據表 頁面 3 MPSH81數據表 頁面 4

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MPSH81規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

增益

4.5dBi

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.8dB ~ 12.3dB

功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M220

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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1.6dB @ 2GHz

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-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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