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MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

僅供參考

型號 MT3S16U(TE85L,F)
PNEDA編號 MT3S16U-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 27,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S16U(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S16U(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S16U(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5V
頻率-過渡4GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2.4dB @ 1GHz
增益4.5dBi
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)60mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

10dB @ 1GHz

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

3-MCP

制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 70mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9.2V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

1.9W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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