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MR0A08BSO35R

MR0A08BSO35R

僅供參考

型號 MR0A08BSO35R
PNEDA編號 MR0A08BSO35R
描述 IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC
制造商 Everspin Technologies Inc.
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR0A08BSO35R資源

品牌 Everspin Technologies Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR0A08BSO35R
類別半導體內存IC內存

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MR0A08BSO35R規格

制造商Everspin Technologies Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式RAM
技術MRAM (Magnetoresistive RAM)
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝32-SOIC

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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