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MR854G

MR854G

僅供參考

型號 MR854G
PNEDA編號 MR854G
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MR854G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MR854G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MR854G, MR854G數據表 (總頁數: 4, 大小: 81.41 KB)
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MR854G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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2500V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2500V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 5mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

8ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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