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MRF6S19120HSR3

MRF6S19120HSR3

僅供參考

型號 MRF6S19120HSR3
PNEDA編號 MRF6S19120HSR3
描述 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19120HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19120HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19120HSR3, MRF6S19120HSR3數據表 (總頁數: 11, 大小: 797.17 KB)
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MRF6S19120HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益15dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1A
功率-輸出19W
電壓-額定68V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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電壓-額定

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包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

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電壓-額定

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NI-1230-4LS2L

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

430mA

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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