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MRF8P9040GNR1

MRF8P9040GNR1

僅供參考

型號 MRF8P9040GNR1
PNEDA編號 MRF8P9040GNR1
描述 FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF8P9040GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF8P9040GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF8P9040GNR1, MRF8P9040GNR1數據表 (總頁數: 23, 大小: 904.93 KB)
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MRF8P9040GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率960MHz
增益19.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試320mA
功率-輸出4W
電壓-額定70V
包裝/箱TO-270BB
供應商設備包裝TO-270 WB-4 Gull

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電壓-測試

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1µA

噪聲系數

-

當前-測試

180mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

65V

包裝/箱

H32259-2

供應商設備包裝

H-32259-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.03GHz

增益

19.6dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

112V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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頻率

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增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

26dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1.4µA

噪聲系數

-

當前-測試

104mA

功率-輸出

5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1211-3

供應商設備包裝

16-HSOPF

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.17GHz

增益

14.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

16W

電壓-額定

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