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MS1015D

MS1015D

僅供參考

型號 MS1015D
PNEDA編號 MS1015D
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS1015D資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS1015D
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS1015D規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10.5dB ~ 16.5dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

24GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

頻率-過渡

500MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB @ 175MHz

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

150MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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