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MS2608

MS2608

僅供參考

型號 MS2608
PNEDA編號 MS2608
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS2608資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS2608
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS2608規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

增益

13dB ~ 15.5dB

功率-最大

1.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Micro-X ceramic (84C)

供應商設備包裝

Micro-X ceramic (84C)

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制造商

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

5.6dB

功率-最大

1350W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

37GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

10.5dB ~ 21.5dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 80mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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