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MS3456

MS3456

僅供參考

型號 MS3456
PNEDA編號 MS3456
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MS3456資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MS3456
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MS3456規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

21.5dB

功率-最大

185mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 50mA, 1.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 6V

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15mA

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

330mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 25mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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