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MSD2714AT1G

MSD2714AT1G

僅供參考

型號 MSD2714AT1G
PNEDA編號 MSD2714AT1G
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MSD2714AT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MSD2714AT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MSD2714AT1G, MSD2714AT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 54.05 KB)
PDFMSD2714AT1G數據表 封面
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MSD2714AT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

4.5GHz ~ 5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

10dB @ 1GHz

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.2dB

功率-最大

583W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.5dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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