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MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR

僅供參考

型號 MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
PNEDA編號 MT29F256G08CBCBBWP-10ES-B-TR
描述 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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寫周期-字,頁

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