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MT29F8G08ABABAWP-IT:B

MT29F8G08ABABAWP-IT:B

僅供參考

型號 MT29F8G08ABABAWP-IT:B
PNEDA編號 MT29F8G08ABABAWP-IT-B
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 72,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F8G08ABABAWP-IT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F8G08ABABAWP-IT:B
類別半導體內存IC內存

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MT29F8G08ABABAWP-IT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

121-WFBGA

供應商設備包裝

121-VFBGA (8x7.5)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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